ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

         

ДВУХТАКТНАЯ ПОЛУМОСТОВАЯ СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ


Возможны два варианта использования такой схемы в бы­товой РЭА: в режиме самовозбуждения и с внешним запуском. Первый вариант может быть рекомендован для сравнительно не­дорогих устройств, так как в них трудно организовать надежную защиту транзисторов от аварийных режимов. Второй вариант предпочтителен для высококачественной полупрофессиональной аппаратуры.

Рис. 9. Схема двухтактного полумостового преобразователя с самовозбужде­нием (а) и эквивалентная схема частотно-задающей цепи (б)

На рис. 9 изображена принципиальная схема полумостового преобразователя с самовозбуждением. Работа подобных преобра­зователей подробно описана в [1, 3].

Заметим, что для ИИЭ, работающих от сети, совершенно не­допустимо использование автоколебательных преобразователей, частота переключения которых определяется насыщением силово­го импульсного трансформатора, так как это приводит к аварий­ным режимам высоковольтных транзисторов, работающих на границе области безопасных режимов (ОБР) по току и напряжение коллектора. Поэтому в схеме рис. 9 предусмотрен дополнитель­ный маломощный трансформатор Т1, насыщение которого опре­деляет частоту автоколебаний преобразователя. Приведем основ­ные расчетные соотношения для такого преобразователя [1].

Размах тока открытого транзистора

IKmax= 2I2 U2/nп(Uвх — 2UKон)                                                               (10)

где I2, U2 — ток и напряжение нагрузки, Uвх — напряжение на входе преобразователя; nп — его КПД, UкЭя — напряжение на­сыщения транзисторов.

Частота преобразователя

F = U1 104/4w1BmQcmKc,                                                                         (11);

где Ui — амплитуда напряжения на первичной обмотке трансфор­матора Tl; Wi — число витков обмотки; Вт — индукция насыще­ния материала магнитопровода 77, в теслах; Qcm — сечение маг­нитопровода, в квадратных сантиметрах; Kс — коэффициент за­полнения магнитопровода.

Размер магнитопровода силового трансформатора Т2 выбира­ют согласно формуле (11), магнитопровод трансформатора П обычно делают в виде ферритового кольца с внешним диаметрой 8 — 10 мм из материалов 1500 НМЗ, 2000 НМЗ, выпускаемых прв-мышленностью.



Число витков wl и напряжение Ui выбирают и основе анализа процессов, протекающих во входных цепях трам» зисторов VT1, VT2, эквивалентная схема которых приведена is рис. 9,6. С помощью резистора R1 во входной цепи организовав режим генератора тока. Для этого необходимо, чтобы R1=(5 — 10)R'бэ, R'бэ=RбэR2, n=wi/w6, где Rбэ — динамическое сопротив­ление цепи база — эмиттер в рабочей точке входной характери­стики.

Для надежного и быстрого переключения необходимо, чтобы приращение тока ДI индуктивности первичной обмотки после на­сыщения трансформатора оказалось примерно равным минималь­ному току базы IБ min, при котором транзистор насыщен. Тогда почти весь ток, протекающий через R1, потечет через L1 и транзистор выключится. Ток через L1 до момента насыщения выбирается в 1,5 — 3 раза больше I'Б min = IБmin/n. Отсюда мож­но получить простое ориентировочное соотношение для L1 — ин­дуктивности первичной обмотки ненасыщенного трансформатора (при его выводе принято, что ILl = 2IБЭmin): L1=n2UБЭ/4fIБЭmin. (12)

Пример. Рассчитать выходной каскад полумостового преоб­разователя (по схеме рис. 9, а) для стереофонического усилите­ля, потребляющего 200 Вт в режиме максимальной отдаваемой мощности.

1. Поскольку речь идет об источнике питания для высокока­чественного усилителя с полосой воспроизводимых частот 20 Гц — 20 кГц, выбираем частоту преобразователя заведомо выше f  = 30 кГц.

2. Определяем максимальный коллекторный ток транзисторов по формуле (10). Принимая nn = 0,75, P2 max =100 Вт, Uкэн = 3 В, получим Iкmах = 2*200/0,75*278 = 1,9 А.

3 Выбираем транзистор КТ840Б, как наилучшим образом удовлетворяющий поставленным требованиям. Принимая h21Э=15, находим IBmin=127 мА. По входным характеристикам транзистора определяем UБЭ ~ 1 В при IБ =127 мА. При U БЭ = = 1 В находим динамическое сопротивление Rбэ = 0,15 Ом.

4. По формуле (12), принимая n = 2, определяем индуктив­ность первичной обмотки ненасыщенного трансформатора Т1: Li = 4*1/4*30*103*127 = 262 мкГн.


Выбираем магнитопровод KJX Х4Х4, для которого находим число витков первичной обмотки трансформатора по формуле w =SQR(L1l* 10~2/мS) (где l=1,7 см — средняя длина силовой линии; 5 = 6 мм2 — сечение магнитопрово-да, )i = 2,76-10~3 Гн/м — абсолютная максимальная магнитная про­ницаемость в режиме перемагничивания по полному циклу),



5. Находим R1 = 70n2Rбэ = 70-4-0,15 = 42 Ом.

6. Рассчитываем напряжение на обмотке wl трансформато­ра Т2 (полуразмах) как сумму падения напряжения на резисто­ре R1 с приведенным к первичной обмотке Т1 напряжением U'БЭ = UБЭn: Uw2 =R1IBm,n+U'BЭ = 42.0,127+1 -2 = 7,33 В.

7. Производим проверочный расчет частоты переключения преобразователя по формуле (11), принимая для материала 2000 НМЗ Бт = 0,176 Т: f = 2*10-4/4*15*0,176*6*10-2 = 31,5 кГц.

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ РЭА, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ИМПУЛЬСНЫХ ИСТОЧНИКАХ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Содержание раздела