Проектирование радиотехнических устройств в Micro-CAP V

         

Задание на «отлично»


12. Установить форму импульсного сигнала на входе RC цепочек, соответствующую получению их импульсной характеристики (см. книгу Разевига по МСV).

13. Получить импульсную характеристику интегрирующей и дифференцирующей цепочек и зарисовать их ( качественно).

14. Установить форму импульсного сигнала на входе RC цепочек, соответствующую получению переходной характеристики ( см. книгу Разевига по МСV).

15. Получить переходную характеристику обеих цепочек и зарисовать их ( качественно). 



Copyright © 2000 Георгий Долин. All rights reserved. Design - "Kety studio" by Alex Kazantsev. Support - "Anri Education Systems"


11. Собрать представленные на рис.4 схемы.                       
12. Получить переходный процесс для схем рис.4. Зарисовать его. Сделать выводы о полярности входных и выходных напряжений, о величине tуст и tсп.
13.  Установить в схемах  рис.4 сопротивление нагрузки  R1=100 Ом. Получить АЧХ в виде зависимости Y(f), а не Uвых(f) или Ku(f), где Y(f) = Ku(f)/Ku(fсред) = Uвых(f)/Uвых(fср).

7.     Получить зависимость Свхтр=F(f), где Свхтр=[Im(I(Rb)/V(3,0))] / (2*PI*F).
        Записать значения Свхтр для fнч, fcp и fвч. Сравнить с Cbe Рис. 1.
8.     Исследовать нижеприведённые зависимости, используя режим “Stepping”:
        Rвхус(f)=F(rкб) | при Cкб=1pF; а rкб=20кОм и var¯.
        Rвхус(f)=F(Cкб) | при rкб=?; а Скб=20пф и var¯.
        Свхус(f)=F(rкб) | при Скб=1pF; а rкб=20кОм и var¯.
        Свхус(f)=F(Скб) | при rкб=?; а Скб=20пф и var¯.


6. Оценить влияние на Rвхтр и Bвхтр значений Ik0.
7.     Получить зависимость Свхтр=F(f), где: Свхтр = Im(Ib(Q2N2511) / V(3,0)) / (2*PI*F).
        Записать значения Свхтр для fнч, fcp и fвч.
8.     Исследовать нижеприведённые зависимости, используя режим “Stepping”:
        Rвхус(f)=F(rкб) | при Cкб=1pF; а rкб=20кОм и var¯.
        Rвхус(f)=F(Cкб) | при rкб=?; а Скб=20пф и var¯.
        Свхус(f)=F(rкб) | при Скб=1pF; а rкб=20кОм и var¯.
        Свхус(f)=F(Скб) | при rкб=?; а Скб=20пф и var¯.
     MODEL Q2N2511 NPN (BF=659.4 BR=1.301 XTB=1.5 IS=5.911E-15 EG=1.11 CJC=4.017E-12 CJE=4.973E-12
     RC=1.61    VAF=62.37 TF=820.3E-12
     TR=4.691E-9 MJC=0.3174 VJC=0.75 MJE=0.4146 VJE=0.75 CJS=0 VAR=30
     NF=1 NR=1 ISE=5.911E-15 ISC=0 IKF=13.81E-3 IKR=0 NE=1.336 NC=2
     RE=0 IRB=0 RBM=0 VTF=4 ITF=0.35 XTF=7 PTF=0 XCJC=1 VJC=0.75 MJS=0 XTI=3 KF=0 AF=1 FC=0.5)
    MODEL E1 SIN(F=1Meg, A=1, DC=0, PH=0, RS=1M, RP=0, TAU=0, FS=0)
    DEFINE BA1=12


9. Подключить на вход ОУей источник синусоидального напряжения. Установить Um вх »  0,7*Eпит.
10. Получить переходный процесс на выходе трех моделей ОУ на одном графике.
11. Изменяя частоту источника сигнала fист, найти fвчmах, при которой Uвых на выходе 2-ой и 3-ей моделей ОУ начнет отличаться от Uвых 1-ой  модели ОУ. (Появится эффект заряда-разряда емкости).
Сравнить fвчmax2 с fвч2 и fс.в2 , а также fвчmax3 c fвч3 .
12. Поменять значения SRP и SRN для 2ой модели ОУ и, проделав вновь пункты 10-11 задания, описать появившиеся отличия в форме сигналов на выходе ОУ.
13. Для третьей модели ОУ разорвать цепь ООС (см. пункт 4 задания), получить АЧХ только для 3ей модели ОУ и оценить Кu0, f ' с.в3 и f''с.в3. Восстановить цепь ООС.



4. При синусоидальном большом сигнале на входах ОУ определить для схем 1-4 максимальную частоту fвчмах (для Кг » 3-6%). Сравнить с fвч из пункта 2б.

Содержание раздела